半導体構造および半導体構造の制御方法

開放特許情報番号
L2021001573
開放特許情報登録日
2021/10/21
最新更新日
2021/10/21

基本情報

出願番号 特願2019-147580
出願日 2019/8/9
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2021-028943
公開日 2021/2/25
発明の名称 半導体構造および半導体構造の制御方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体構造および半導体構造の制御方法
目的 低消費電力でスイッチング可能な半導体デバイスを提供する。
効果 低消費電力でスイッチング可能な半導体デバイスを実現することができる。
技術概要
ソースとドレインと第1ゲートとボディコンタクト部とを含むMOSFETを備える半導体構造であって、
前記ボディコンタクト部と前記ソースおよび前記ドレインとの間に、前記ボディコンタクト部の不純物の型と反対の型の半導体層を備え、
前記半導体層の上に、前記第1ゲートに隣接して第2ゲートを備える半導体構造。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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