錯体,ペロブスカイト層及び太陽電池

開放特許情報番号
L2021001509
開放特許情報登録日
2021/10/11
最新更新日
2021/10/11

基本情報

出願番号 特願2017-179641
出願日 2017/9/20
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2019-055916
公開日 2019/4/11
登録番号 特許第6902269号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 錯体,ペロブスカイト層及び太陽電池
技術分野 有機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ペロブスカイト層の製造方法,錯体,ペロブスカイト前駆体,及び太陽電池の製造方法
目的 塗布液を塗布した後に,貧溶媒を塗布するまでの時間を十分に確保できるペロブスカイト層の製造方法や,その塗布液に含まれる錯体,ペロブスカイト前駆体,及び太陽電池の製造方法を提供する。
効果 塗布液を塗布した後に,貧溶媒を塗布するまでの時間を十分に確保できるペロブスカイト層の製造方法や,その塗布液に含まれる錯体,ペロブスカイト前駆体,及び太陽電池の製造方法を提供できる。
技術概要
 
式(I)で示される化合物と,
1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)ピリミジノン,スルホラン,テトラメチレンスルホキシド又はN,N−ジメチルアセトアミドを含む錯体。
AM↓(n1)X↓(m1)・・・(I)
(式(I)中,
Aは,メチルアンモニウムカチオン(CH↓3NH↓3↑+),ホルムアミジニウムカチオン(NH↓2CHNH↓2↑+)又はセシウムカチオン(Cs↑+)であり,
Mは,Pb↑(2+),Ge↑(2+),又はSn↑(2+)であり,
Xは,F↑−,Cl↑−,Br↑−,又はI↑−であり,
n1は,0.8〜1.2であり,
m1は,2.8〜3.2である。)
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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