半導体デバイスの製造工程において半導体層と金属層との間に大きな熱応力が生じるのを抑止できる製造方法

開放特許情報番号
L2021001506
開放特許情報登録日
2021/10/11
最新更新日
2021/10/11

基本情報

出願番号 特願2012-213074
出願日 2012/9/26
出願人 株式会社オプトニクス精密
公開番号 特開2014-065948
公開日 2014/4/17
登録番号 特許第6050075号
特許権者 株式会社オプトニクス精密
発明の名称 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
目的 半導体デバイスの製造工程において半導体層と金属層との間に大きな熱応力が生じることが抑止できる半導体デバイスの製造方法、および製造工程および使用時において、半導体層と金属層との間に大きな熱応力が生じることのない半導体デバイスの提供。
効果 半導体層と金属層との間に大きな熱応力が生じることが抑止できる半導体デバイスの製造方法、および半導体層と金属層との間の熱応力が小さく、特に、電着により金属が成長する電鋳の採用により半導体層と金属層との間が完全に密着され熱伝導度の向上によって放熱効果が優れた半導体デバイスを提供することができる。
技術概要
半導体層上に、この半導体層の熱膨張係数以下の熱膨張係数を有する材料を内部に分散させて金属層を形成する金属層形成工程を有し、
前記金属層形成工程においては、前記金属層を電鋳法で形成すると共に、前記電鋳法で使用される電鋳浴に、表面を磁性層で被覆して形成した非金属製の前記材料を分散させ、前記半導体層の面と平行または垂直な方向の磁場を前記電鋳浴に印加することによって、前記材料を前記半導体層の面に沿って分散させる
半導体デバイスの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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