電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法

開放特許情報番号
L2021001293
開放特許情報登録日
2021/9/15
最新更新日
2021/9/15

基本情報

出願番号 特願2011-552800
出願日 2011/2/2
出願人 国立大学法人東京農工大学
公開番号 WO2011/096439
公開日 2011/8/11
登録番号 特許第5649007号
特許権者 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法
技術分野 金属材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 固体薄膜の形成方法
目的 低エネルギー消費、低環境負荷、超微細化、大規模集積アレイ化の要求を同時に満たす新しい固体薄膜形成方法を提供する。
効果 電力消費、温度制御、プラズマ生成、活性ガスの流量管理、基板の選択、微細アレイ化などについて条件設定の制約が多いPVD、CVD等の従来技術の諸問題が解決できる。
特定の触媒、還元剤、活性剤などの付加的添加剤を何ら必要とせず、短時間で局所的な物質生成が可能である。
さらに、液体や液相物質中の金属イオンや半導体イオンを除去して清浄化させる技術にも適用可能である。
技術概要
背面電極を有する基板と、その基板上または基板の表面側部分に形成された電子ドリフト層、電子トンネル層、またはそれらを組み合わせた層、さらにその電子ドリフト層、電子トンネル層、またはそれらを組み合わせた層上に形成された表面電極を備え、その表面電極に形成された所定形状の電子放出面から弾道電子または準弾道電子を液体または液相物質中に放出する電子源電極を用い、
対向電極および参照電極を設けないで、前記電子源電極を、形成すべき固体薄膜を構成する固体元素のイオンを含む溶液中に浸漬して動作させ、
前記電子源電極の電子放出面上に固体薄膜を形成することを特徴とする固体薄膜の形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 国立大学法人東京農工大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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