パターン基板の製造方法、パターン転写体、磁気記録用パターン媒体、及び高分子薄膜

開放特許情報番号
L2021001290
開放特許情報登録日
2021/9/13
最新更新日
2021/9/13

基本情報

出願番号 特願2005-334979
出願日 2005/11/18
出願人 国立大学法人京都大学、株式会社日立製作所
公開番号 特開2007-138052
公開日 2007/6/7
登録番号 特許第5136999号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 パターン基板の製造方法、パターン転写体、磁気記録用パターン媒体、及び高分子薄膜
技術分野 有機材料、情報・通信、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 高分子薄膜、パターン基板の製造方法、パターン転写体、磁気記録用パターン媒体
目的 高分子ブロック共重合体のミクロ相分離現象を用いて、柱状ミクロドメインが、膜の貫通方向に配向するとともに規則配列パターンを有する高分子薄膜を提供する。そして、この規則配列パターンを表面に有するパターン基板の製造方法を提供する。
効果 高分子ブロック共重合体のミクロ相分離現象を用いて、柱状ミクロドメインが、膜の貫通方向に配向するとともに規則配列パターンを有する高分子薄膜を提供することができる。そして、この規則配列パターンを表面に有するパターン基板の製造方法を提供することができる。
技術概要
第1モノマーが重合してなる第1セグメント及び第2モノマーが重合してなる第2セグメントを少なくとも有する高分子ブロック共重合体と、第1セグメントに相溶する高分子重合体と、が配合されている溶液を、基板の表面に塗布する塗布工程と、
溶液から溶媒を揮発させて基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
基板の表面を熱処理して、第1セグメントを主成分にする連続相と、第2セグメントを主成分にして連続相中に六方最密構造をとって配列した柱状ミクロドメインと、に分離したミクロ相分離構造を薄膜に形成する相分離構造形成工程と、を含み、
薄膜の厚さを柱状ミクロドメインの直径の1倍よりも大きく、10倍以下とし、
基板に形成した薄膜において、
第1セグメント及び高分子重合体の体積の和が高分子ブロック共重合体と高分子重合体の体積の和に占める体積百分率をφとして、柱状ミクロドメインが形成されうる最大のφをφmaxとした場合、
φmax − 7 ≦ φ ≦ φmaxの関係を充足するように、
高分子ブロック共重合体及び高分子重合体の配合量を調整することによって、柱状ミクロドメインを薄膜の貫通方向に配向させる
ことを特徴とするパターン基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 京都大学「産学連携情報プラットフォーム(フィロ)」をご紹介します。
産学連携の新たな取り組みなど、有益な情報を発信しています。

https://philo.saci.kyoto-u.ac.jp/

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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