| 出願番号 |
特願2019-557110 |
| 出願日 |
2018/11/9 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
WO2019/107113 |
| 公開日 |
2019/6/6 |
| 登録番号 |
特許第6804120号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、機械・加工 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 |
| 目的 |
電子を高効率に安定して放出する炭化ハフニウム（ＨｆＣ）単結晶からなるエミッタ、その製造方法およびそれを用いた電子銃および電子機器を提供する。 |
| 効果 |
従来の炭化ハフニウム単結晶からなるナノワイヤエミッタよりも電界放出する領域を、エミッタ端部の中心（先端）部分に集中させることができる。これにより、電子を高効率に安定して放出できる。このようなエミッタを用いれば、長期的に安定な電子銃およびそれを用いた電子機器を提供できる。 |
技術概要
 |
ナノワイヤを備えたエミッタであって、
前記ナノワイヤは、炭化ハフニウム（ＨｆＣ）単結晶からなり、
前記ナノワイヤの長手方向は、炭化ハフニウム単結晶の＜１００＞の結晶方向に一致し、
前記ナノワイヤの電子を放出すべき端部は、前記炭化ハフニウム単結晶の（２００）面と｛３１１｝面とからなり、前記（２００）面を中心とし、｛３１１｝面が前記（２００）面を包囲している、エミッタ。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【有】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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