| 出願番号 |
特願2019-565774 |
| 出願日 |
2018/12/19 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
WO2019/142581 |
| 公開日 |
2019/7/25 |
| 登録番号 |
特許第6846834号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット |
| 目的 |
ゲート容量Ｃｏｘが比較的大きく、高電界用途、特にパワー半導体用途に適応するＭＩＳ型半導体装置を提供すること、およびそのＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
ワイドバンドギャップＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜をもち、界面などに準位が少なく、かつリーク電流の少ないＭＩＳ型半導体装置およびＭＩＳ型半導体装置の製造方法が提供される。 |
技術概要
 |
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたＭＩＳ型半導体装置であって、
前記絶縁体層は、ハフニウムフッ化物およびランタンフッ化物を含み、
前記ランタンフッ化物に対する前記ハフニウムフッ化物の体積比率が０．３５以上０．６以下である、ＭＩＳ型半導体装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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