半導体装置および半導体装置の製造方法

基本情報

出願番号	特願2018-144690
出願日	2018/8/1
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2020-021828
公開日	2020/2/6
登録番号	特許第7162833号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	半導体装置の製造方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	半導体装置およびその半導体装置の製造方法
目的	バンドギャップが広くて絶縁耐圧に優れ、かつキャリアの移動度が高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
効果	半導体層のバンドギャップが広くて絶縁耐圧に優れ,かつ移動度の高い半導体装置（ＭＩＳＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴなど）およびその製造方法を提供することが可能になる。
技術概要	酸化ガリウムの結晶を含む半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられた絶縁体層とを備え、前記酸化ガリウムの結晶は、ａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下である、半導体装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構