半導体装置および半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2021001237
開放特許情報登録日
2021/9/8
最新更新日
2021/9/8

基本情報

出願番号 特願2018-144690
出願日 2018/8/1
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2020-021828
公開日 2020/2/6
発明の名称 半導体装置および半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置およびその半導体装置の製造方法
目的 バンドギャップが広くて絶縁耐圧に優れ、かつキャリアの移動度が高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
効果 半導体層のバンドギャップが広くて絶縁耐圧に優れ,かつ移動度の高い半導体装置(MISFET、MOSFETなど)およびその製造方法を提供することが可能になる。
技術概要
酸化ガリウムの結晶を含む半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられた絶縁体層とを備え、
前記酸化ガリウムの結晶は、a軸の格子定数が0.28nm以上0.34nm以下である、半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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