| 出願番号 |
特願2018-144691 |
| 出願日 |
2018/8/1 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2020-021829 |
| 公開日 |
2020/2/6 |
| 登録番号 |
特許第7160318号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| 目的 |
高周波パワーデバイスに要求される絶縁体耐圧を有するキャリア移動度の高いワイドバンドギャップの半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
高周波パワーデバイスに要求される絶縁体耐圧を有するキャリア移動度の高いワイドバンドギャップの半導体装置およびその半導体装置の製造方法が提供される。 |
技術概要
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窒化ガリウム半導体層および酸化ガリウム半導体層を有し、
前記窒化ガリウム半導体層と前記酸化ガリウム半導体層とはヘテロ接合をなし、
前記酸化ガリウム半導体層は、ａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下のＧａ↓2Ｏ↓3結晶を含む、半導体装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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