半導体装置および半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2021001236
開放特許情報登録日
2021/9/8
最新更新日
2021/9/8

基本情報

出願番号 特願2018-144691
出願日 2018/8/1
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2020-021829
公開日 2020/2/6
発明の名称 半導体装置および半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体装置および半導体装置の製造方法
目的 高周波パワーデバイスに要求される絶縁体耐圧を有するキャリア移動度の高いワイドバンドギャップの半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供する。
効果 高周波パワーデバイスに要求される絶縁体耐圧を有するキャリア移動度の高いワイドバンドギャップの半導体装置およびその半導体装置の製造方法が提供される。
技術概要
窒化ガリウム半導体層および酸化ガリウム半導体層を有し、
前記窒化ガリウム半導体層と前記酸化ガリウム半導体層とはヘテロ接合をなし、
前記酸化ガリウム半導体層は、a軸の格子定数が0.28nm以上0.34nm以下のGa↓2O↓3結晶を含む、半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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