磁気メモリ素子

開放特許情報番号
L2021001207
開放特許情報登録日
2021/9/6
最新更新日
2021/9/6

基本情報

出願番号 特願2020-123981
出願日 2020/7/20
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2021-061388
公開日 2021/4/15
発明の名称 磁気メモリ素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁性体に情報を記録する磁気メモリ素子
目的 消費電力を抑えつつ書き込み速度を速くすることができる磁気メモリ素子を提供する。
効果 消費電力を抑えつつ書き込み速度を速くすることができる。
技術概要
a)磁性体を有する記録層と、
b)前記記録層に接して又は所定の介在層を介して設けられ、互いに異なる物質から成る3層のスピンホール効果層を有するユニットが厚さ方向に複数組配置された、厚さ方向に非対称である書き込み制御部と
を備える磁気メモリ素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 京都大学「産学連携情報プラットフォーム(フィロ)」をご紹介します。
産学連携の新たな取り組みなど、有益な情報を発信しています。

https://philo.saci.kyoto-u.ac.jp/

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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