出願番号 |
特願2019-199742 |
出願日 |
2016/8/1 |
出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
公開番号 |
特開2020-024777 |
公開日 |
2020/2/13 |
登録番号 |
特許第6774124号 |
特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
発明の名称 |
磁気抵抗素子、当該磁気抵抗素子を用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
技術分野 |
情報・通信、電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
適用製品 |
磁気抵抗素子 |
目的 |
強磁性金属/非磁性金属/強磁性金属の3層構造を持つ薄膜の面直方向磁気抵抗効果(CPPGMR)を利用した素子において、従来構造よりも高い磁気抵抗出力を発現する磁気抵抗素子を提供する。 |
効果 |
MTOを用いたCPPGMR素子を作製することができ、高い磁気抵抗出力を提供できる。また磁気抵抗素子を用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置に用いて好適である。 |
技術概要
![](/pldb/img/2021/001/L2021001174/sL202100117401.jpg) |
ホイスラー合金よりなる下部強磁性層と上部強磁性層、及び当該下部強磁性層と上部強磁性層との間に挟まれたスペーサ層とを備える面直方向磁気抵抗素子において、
前記スペーサ層がMg↓(1−x)Ti↓xO↓y(0.5≦x≦1.0,0.8≦y≦1.2)と伝導性非磁性金属からなる非磁性スペーサ層であると共に、窒素元素を含有する界面保護層を有しないことを特徴とする面直方向磁気抵抗素子。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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