目的
強磁性金属／非磁性金属／強磁性金属の３層構造を持つ薄膜の面直方向磁気抵抗効果（ＣＰＰＧＭＲ）を利用した素子において、従来構造よりも高い磁気抵抗出力を発現する磁気抵抗素子を提供する。
効果
ＭＴＯを用いたＣＰＰＧＭＲ素子を作製することができ、高い磁気抵抗出力を提供できる。また磁気抵抗素子を用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置に用いて好適である。
技術概要
ホイスラー合金よりなる下部強磁性層と上部強磁性層、及び当該下部強磁性層と上部強磁性層との間に挟まれたスペーサ層とを備える面直方向磁気抵抗素子において、
前記スペーサ層がＭｇ↓（１−ｘ）Ｔｉ↓ｘＯ↓ｙ（０．５≦ｘ≦１．０，０．８≦ｙ≦１．２）と伝導性非磁性金属からなる非磁性スペーサ層であると共に、窒素元素を含有する界面保護層を有しないことを特徴とする面直方向磁気抵抗素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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