磁気抵抗素子及びその使用方法
- 開放特許情報番号
- L2021001164
- 開放特許情報登録日
- 2021/8/30
- 最新更新日
- 2021/8/30
基本情報
| 出願番号 | 特願2019-223062 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/11/25 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2020/4/9 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 磁気抵抗素子及びその使用方法 |
| 技術分野 | 情報・通信、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 強磁性薄膜を有する磁気抵抗素子 |
| 目的 | ホイスラー合金を用いた巨大磁気抵抗素子を磁気ハードディスクの読取ヘッド等の実デバイスへ応用するのに必要とされる磁気抵抗特性が良好な巨大磁気抵抗素子を提供する。さらに巨大磁気抵抗素子の使用方法を提供する。 |
| 効果 | 多数のスピンバンド電子が下部強磁性層と第１のＢ２構造の挿入層の界面、並びに第２のＢ２構造の挿入層と上部強磁性層の界面で、大きな界面抵抗を受けずに、巨大磁気抵抗効果層の両側の接合層の間で伝導できる。 |
技術概要) |
ＭｇＯ基板またはシリコン基板と、
この基板に積層された第１の非磁性層と、 当該基板に積層されたＣｏ基ホイスラー合金、Ｃｏ基ホイスラー合金とＦｅ、Ｃｏ基ホイスラー合金とＣｏＦｅ、又はＣｏ基ホイスラー合金とＦｅ及びＣｏＦｅから選ばれた一種からなる下部強磁性層及び上部強磁性層、並びに当該下部強磁性層と当該上部強磁性層の間に設けられた第２の非磁性層を有する巨大磁気抵抗効果層とを備えると共に、 前記巨大磁気抵抗効果層は、前記下部強磁性層と前記第２の非磁性層の間に設けられた第１のＢ２構造の挿入層と、前記第２の非磁性層と前記上部強磁性層の間に設けられた第２のＢ２構造の挿入層との少なくとも一方を有すると共に、 前記第１及び第２のＢ２構造挿入層は、膜厚が０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ未満であることを特徴とする記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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