金属酸化物の薄膜、該薄膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池、および薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2021001140
開放特許情報登録日
2021/8/24
最新更新日
2021/8/24

基本情報

出願番号 特願2019-156940
出願日 2015/9/16
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 特開2019-201231
公開日 2019/11/21
登録番号 特許第6764200号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 金属酸化物の薄膜、該薄膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池、および薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 金属酸化物の薄膜、該薄膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池、および薄膜の製造方法
目的 電子輸送性に優れた薄膜を提供する。また、従来に比べて良好な安定性を有し、高い信頼性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。また、従来に比べて良好な安定性を有し、高い信頼性を有する太陽電池を提供する。さらに、電子輸送性に優れた薄膜の製造方法を提供する。
効果 電子輸送性に優れた薄膜を提供することができる。本発明では、従来に比べて良好な安定性を有し、高い信頼性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。従来に比べて良好な安定性を有し、高い信頼性を有する太陽電池を提供できる。電子輸送性に優れた薄膜の製造方法を提供できる。
技術概要
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、電子注入層および/またはホールブロック層としての薄膜を有し、
前記薄膜は、亜鉛(Zn)、錫(Sn)、ケイ素(Si)および酸素(O)を含み、
酸化物換算で、前記薄膜の酸化物の合計100mol%に対して、SnO↓2が15mol%超、95mol%以下の金属酸化物の薄膜であり、
当該製造方法は、
スパッタリング法によりチャンバー内で電子注入層および/またはホールブロック層としての薄膜を形成する前に前記チャンバー内の圧力を8.0×10↑(−4)Pa以下とした後にスパッタリングガスを導入し、その後に前記チャンバー内の圧力を0.1Pa〜5.0Paとし成膜する工程を含み、
前記スパッタリングガスは、NO(一酸化窒素)およびCO(一酸化炭素)からなる群から選ばれるガスである、製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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