空孔欠陥形成方法

開放特許情報番号
L2021001115
開放特許情報登録日
2021/8/23
最新更新日
2021/8/23

基本情報

出願番号 特願2019-097428
出願日 2019/5/24
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2020-189777
公開日 2020/11/26
発明の名称 空孔欠陥形成方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ダイヤモンドの内部に空孔欠陥を形成する方法
目的 ダイヤモンドの黒鉛化を抑制した高濃度の空孔欠陥形成方法を提供する。
効果 ダイヤモンドの黒鉛化を抑制した高濃度の空孔欠陥形成方法を提供することができる。
技術概要
ダイヤモンドの内部に空孔欠陥を形成する方法であって、
前記ダイヤモンドの吸収波長に対して透明な波長を有するレーザーのパルス光を前記ダイヤモンドの内部に複数回集光照射するステップを含み、
前記レーザーのパルス光のパルス幅は、前記空孔欠陥の形成が前記ダイヤモンドの黒鉛化よりも優先的となるパルス幅であることを特徴とする、方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 京都大学「産学連携情報プラットフォーム(フィロ)」をご紹介します。
産学連携の新たな取り組みなど、有益な情報を発信しています。

https://philo.saci.kyoto-u.ac.jp/

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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