半導体構造物、多接合太陽電池及び半導体構造物の製造方法

開放特許情報番号
L2021001113
開放特許情報登録日
2021/8/23
最新更新日
2021/8/23

基本情報

出願番号 特願2019-027609
出願日 2019/2/19
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2020-136475
公開日 2020/8/31
発明の名称 半導体構造物、多接合太陽電池及び半導体構造物の製造方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体構造物、多接合太陽電池及び半導体構造物の製造方法
目的 製造が簡単で、且つ、十分な接合強度、導電性、光透過性を有する半導体構造物を提供する。
効果 製造が簡単で、且つ、十分な接合強度、導電性、光透過性を有する半導体構造物を提供することができる。
技術概要
2枚の半導体基板が接着層を介して貼り合わされた半導体構造物であって、
前記接着層は、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、又はアガロースのうち少なくとも1つを有するハイドロゲルを含む、半導体構造物。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 京都大学「産学連携情報プラットフォーム(フィロ)」をご紹介します。
産学連携の新たな取り組みなど、有益な情報を発信しています。

https://philo.saci.kyoto-u.ac.jp/

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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