半導体からなる原子膜を評価する方法

開放特許情報番号
L2021001104
開放特許情報登録日
2021/8/19
最新更新日
2021/8/19

基本情報

出願番号 特願2018-198861
出願日 2018/10/23
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2020-067314
公開日 2020/4/30
発明の名称 半導体からなる原子膜を評価する方法
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体からなる原子膜を評価する方法
目的 半導体からなる原子膜を簡便に評価する方法を提供する。
効果 評価したい原子膜を単に金属イオンを含有する水溶液に浸漬し、光を照射した後に、光学顕微鏡等の顕微鏡により観察するだけでよいので、特別な装置や熟練の技術を不要とし、極めて簡便である。顕微鏡により金属粒子の存在や位置を観察するだけで原子膜の欠陥や粒界の有無を評価できる。
技術概要
半導体からなる原子膜を評価する方法であって、
前記半導体からなる原子膜を、金属イオンを含有する水溶液に浸漬させ、光を照射するステップであって、前記半導体からなる原子膜の伝導帯の底のエネルギーは前記金属イオンの還元電位よりも大きく、前記光の光子エネルギーは前記半導体のバンドギャップよりも大きい、ステップと、
前記半導体からなる原子膜を顕微鏡により観察するステップと
を包含する方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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