α−Ga2O3単結晶の製造装置

開放特許情報番号
L2021001101
開放特許情報登録日
2021/8/19
最新更新日
2021/8/19

基本情報

出願番号 特願2019-175454
出願日 2015/2/25
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2020-073424
公開日 2020/5/14
登録番号 特許第6842128号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 α−Ga2O3単結晶の製造装置
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 α−Ga2O3単結晶の製造装置
目的 半導体素子に適用可能なα−Ga2O3単結晶の製造装置を提供する。
効果 カーボン濃度が5×1018cm−3以下に制御されているので、不純物濃度がきわめて低く、α−Ga2O3本来の特性を発揮できる。このようなα−Ga2O3単結晶は半導体素子に好適である。ハライド気相成長法を用いることにより不純物濃度の低いα−Ga2O3が得られる。さらに、その成長速度は極めて速いので、厚膜あるいは基板を得ることもできる。
技術概要
ハライド気相成長法によりα−Ga↓2O↓3を製造する製造装置であって、
ガリウム原料供給源と、酸素原料供給源と、ガス排出部と、基板を設置する基板ホルダとを備える反応炉と、
前記反応炉を加熱するヒータと
を備え、
前記ガリウム原料供給源は、内部にガリウム金属が設置されるようになっており、
前記ガリウム原料供給源は、前記反応炉内の温度が成膜温度に到達してから、かつ、成膜中にのみ、ハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガスが前記ガリウム原料供給源に供給され、前記ガリウム原料供給源内にて前記ガリウム金属からガリウムのハロゲン化物を生成し、前記ガリウムのハロゲン化物を前記反応炉に供給するよう制御され、
前記酸素原料供給源は、前記反応炉の昇温から降温までの間、O↓2、H↓2OおよびN↓2Oからなる群から少なくとも1つ選択されるガスを酸素原料として前記反応炉に供給するよう制御され、
前記反応炉において、前記ガリウムのハロゲン化物と前記酸素原料とを反応させ、前記基板上にα−Ga↓2O↓3を成長する、製造装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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