| 出願番号 |
特願2018-243227 |
| 出願日 |
2018/12/26 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2020-105038 |
| 公開日 |
2020/7/9 |
| 登録番号 |
特許第7191322号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品、電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体基板、半導体基板の製造方法およびそれを用いた半導体装置 |
| 目的 |
バンドギャップが広くて絶縁耐圧に優れ、キャリアの移動度が高く、キャリア移動度やバンドギャップの結晶方位依存性が少なく、かつ窒化物半導体とのヘテロ接合特性に優れる半導体基板、半導体基板の製造方法およびそれを用いた半導体装置を提供する。 |
| 効果 |
バンドギャップが広くて絶縁耐圧に優れ、キャリアの移動度が高く、キャリア移動度やバンドギャップの結晶方位依存性が少なく、かつ窒化物半導体とのヘテロ接合特性に優れる半導体基板、その製造方法および半導体装置を提供することが可能になる。 |
技術概要
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酸化ガリウムの結晶を含む半導体層および剛性を有する基体を備え、
前記酸化ガリウムの結晶は、ａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下である、半導体基板。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)