Si基板結晶上における窒化ガリウム結晶成長方法

開放特許情報番号
L2021001054
開放特許情報登録日
2021/8/12
最新更新日
2021/8/12

基本情報

出願番号 特願2005-078464
出願日 2005/3/18
出願人 農工大ティー・エル・オー株式会社
公開番号 特開2006-261476
公開日 2006/9/28
登録番号 特許第4815569号
特許権者 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 Si基板結晶上における窒化ガリウム結晶成長方法
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化ガリウムを、シリコン基板上で結晶成長させる方法及びその関連技術
目的 煩雑な処理をすることなく、シリコン基板上にGaNの結晶の成長を行う方法を提供する。
効果 水素原子をシリコン基板表面から脱離したので、よりバッファー層の形成がし易くなり、バッファー層の平坦性が改善される。その結果、より良質のGaN結晶の成長を行わせることができる。
技術概要
シリコン基板上で窒化ガリウムを結晶成長させる方法において、
前記シリコン基板上の水素原子を脱離する水素脱離工程と、
前記水素脱離工程の後、水素を含まないキャリアガスを用いて、前記シリコン基板上に窒化ガリウムバッファー層を形成する窒化ガリウムバッファー層形成工程と、
前記窒化ガリウムバッファー層の上に、窒化ガリウムを結晶成長させる結晶成長工程と、
を含み、
前記水素脱離工程は、前記シリコン基板を、700℃以上の温度に加熱する工程を含むことを特徴とする窒化ガリウム結晶成長方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 国立大学法人東京農工大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2021 INPIT