| 出願番号 |
特願2019-057963 |
| 出願日 |
2019/3/26 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2020-161587 |
| 公開日 |
2020/10/1 |
| 登録番号 |
特許第7195539号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置 |
| 目的 |
キャリア移動度が高く、急峻なオン／オフ特性などスイッチング特性が優れ、かつゲートリーク電流が少ない半導体装置、およびそれらの諸特性に加えてノーマリーオフ動作に好適な半導体装置を提供する。また、キャリア移動度が高く、急峻なオン／オフ特性などスイッチング特性が優れ、ゲートリーク電流が少なく、ノーマリーオフ動作に好適なパワーデバイスおよび制御用電子装置を提供する。 |
| 効果 |
キャリア移動度が高く、急峻なオン／オフ特性などスイッチング特性が優れ、かつゲートリーク電流が少ない半導体装置、またそれらの諸特性に加えてノーマリーオフ動作に好適な半導体装置を提供することが可能になる。
また、キャリア移動度が高く、急峻なオン／オフ特性などスイッチング特性が優れ、ゲートリーク電流が少なく、ノーマリーオフ動作に好適なパワーデバイスおよび制御用電子装置を提供することが可能になる。 |
技術概要
 |
第１の主表面にチャネルが形成されている半導体層、前記第１の主表面に接して前記半導体層とショットキー接合をなすショットキー金属層、およびインピーダンスを有する緩衝膜を介して前記ショットキー金属層と少なくとも一部に対向して配置されるゲート電極を有し、
前記ショットキー金属層が電気的に浮遊している、半導体装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)