半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置

開放特許情報番号
L2021001031
開放特許情報登録日
2021/8/6
最新更新日
2021/8/6

基本情報

出願番号 特願2019-057963
出願日 2019/3/26
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2020-161587
公開日 2020/10/1
発明の名称 半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置
目的 キャリア移動度が高く、急峻なオン/オフ特性などスイッチング特性が優れ、かつゲートリーク電流が少ない半導体装置、およびそれらの諸特性に加えてノーマリーオフ動作に好適な半導体装置を提供する。また、キャリア移動度が高く、急峻なオン/オフ特性などスイッチング特性が優れ、ゲートリーク電流が少なく、ノーマリーオフ動作に好適なパワーデバイスおよび制御用電子装置を提供する。
効果 キャリア移動度が高く、急峻なオン/オフ特性などスイッチング特性が優れ、かつゲートリーク電流が少ない半導体装置、またそれらの諸特性に加えてノーマリーオフ動作に好適な半導体装置を提供することが可能になる。
また、キャリア移動度が高く、急峻なオン/オフ特性などスイッチング特性が優れ、ゲートリーク電流が少なく、ノーマリーオフ動作に好適なパワーデバイスおよび制御用電子装置を提供することが可能になる。
技術概要
第1の主表面にチャネルが形成されている半導体層、前記第1の主表面に接して前記半導体層とショットキー接合をなすショットキー金属層、およびインピーダンスを有する緩衝膜を介して前記ショットキー金属層と少なくとも一部に対向して配置されるゲート電極を有し、
前記ショットキー金属層が電気的に浮遊している、半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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