電気特性測定装置
- 開放特許情報番号
- L2021000891
- 開放特許情報登録日
- 2021/7/7
- 最新更新日
- 2021/7/7
基本情報
| 出願番号 | 特願2005-303364 |
|---|---|
| 出願日 | 2005/10/18 |
| 出願人 | 国立大学法人東京農工大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2007/5/10 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人東京農工大学 |
| 発明の名称 | 電気特性測定装置 |
| 技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 半導体の電気特性測定装置 |
| 目的 | 半導体及び半導体と絶縁膜界面の電気特性評価を、精度良く実現することができる装置を提供する。 |
| 効果 | 交流電圧電流源と半導体試料との間にインダクタンスを挿入することにより、半導体試料に装着される絶縁膜のキャパシタンスの影響を回避できるので、絶縁膜を除去する工程を必要とせずに、半導体試料の電気的特性を精度良く測定することが可能となる。 |
技術概要) |
交流電圧電流源と、
電気特性を測定するための半導体試料と、 該半導体試料の表面に接続された絶縁膜と、 前記絶縁膜を介して前記交流電圧電流源からの交流電圧を前記半導体試料に印加する電極と、 前記電極と前記交流電圧電流源との間に接続されるインダクタンスと、 前記インダクタンスと前記電極との間の電位を測定するための電位測定手段と、 を備え、 前記絶縁膜のキャパシタンスと前記インダクタンスとの合成インピーダンスが、前記交流電圧電流源の周波数においてゼロとなる共振条件を形成するようにしたこと を特徴とする電気特性測定装置。 |
| 実施実績 | 【試作】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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