半導体の電気特性測定装置

開放特許情報番号
L2021000890
開放特許情報登録日
2021/7/7
最新更新日
2021/7/7

基本情報

出願番号 特願2006-532766
出願日 2005/8/25
出願人 国立大学法人東京農工大学
公開番号 WO2006/022425
公開日 2006/3/2
登録番号 特許第4621922号
特許権者 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 半導体の電気特性測定装置
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体の電気特性測定装置
目的 簡潔な構成をもって精度良く、半導体の電気的特性の測定を行うことができるようにする。
効果 光照射がなされない状態で、測定電位がゼロ電位に設定され、光照射による測定電位がゼロ電位からの変動電位として測定されることから、高精度測定を行うことが可能となる。
技術概要
特性測定半導体に光を照射する光照射手段と、交流電圧源と、前記特性測定半導体に前記交流電圧源からの交流電圧を印加する電極と、前記特性測定半導体に直列に接続されたインピーダンス調整器と、前記特性測定半導体とインピーダンス調整器との接続点の電位を測定する電位測定手段とを有し、
前記インピーダンス調整器が、前記特性測定半導体の交流インピーダンスと同じ交流インピーダンスに調整され、
前記特性測定半導体とインピーダンス調整器の接続点の電位がゼロ電位になるように前記交流電圧を印加することを特徴とする半導体の電気特性測定装置。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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