剥離層除去方法
- 開放特許情報番号
- L2021000882
- 開放特許情報登録日
- 2021/7/2
- 最新更新日
- 2021/7/2
基本情報
| 出願番号 | 特願2006-006978 |
|---|---|
| 出願日 | 2006/1/16 |
| 出願人 | 国立大学法人東京農工大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2007/6/14 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人東京農工大学 |
| 発明の名称 | 剥離層除去方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 半導体素子および回路を形成する方法 |
| 目的 | 被転写層と転写先基板との接着力の向上を図り、純水または酸溶液中での転写プロセスにおいても十分な接着強度と適度な硬さを伴った接着剤を用いることによって、薄膜電子回路素子にダメージをあたえることなく剥離し、良好な特性をもつ薄膜電子回路を歩留まり良く、耐熱性のない基板上に転写する。また、被転写層と転写先基板との剥離を従来にくらべ短時間で可能とする。 |
| 効果 | 良好な特性の半導体電子回路素子をさらに歩留まり良く、耐熱性の低い基体の上に形成することが可能となる。 |
技術概要) |
第一の基体上に酸化ゲルマニウム膜一層またはゲルマニウム膜と酸化ゲルマニウム膜の二層からなる剥離層を形成する工程（ａ）と、
前記剥離層の上に薄膜電子回路あるいは電子回路素子あるいはそれらの作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造の少なくとも一つを形成する工程（ｂ）と、 前記膜構造上に、ガラス転移温度が１００℃以上２００℃以下、吸水率が０．１％以下、引っ張りせん断強さが１０Ｎ／ｍｍ↑２以上、Ｔ型剥離接着強さが１Ｎ／ｍｍ↑２以上、線膨張係数が１．０×１０↑（−４）以下である、エポキシ系あるいはアクリル系接着剤を用いて第二の基体を接着して機能性基体を製造する工程（ｃ）と、 前記機能性基体を純水または酸溶液またはそれらの蒸気中に浸漬する工程（ｄ）と、 前記機能性基体の温度を変化させて前記機能性基体から前記剥離層を除去する工程（ｅ）と、を含む、剥離層除去方法。 |
| 実施実績 | 【試作】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | 国立大学法人東京農工大学 |
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その他の情報
| 関連特許 |
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