アプタマー固定化半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法
- 開放特許情報番号
- L2021000839
- 開放特許情報登録日
- 2021/6/17
- 最新更新日
- 2023/6/23
基本情報
| 出願番号 | 特願2019-204856 |
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| 出願日 | 2019/11/12 |
| 出願人 | 学校法人早稲田大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2021/5/20 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 学校法人早稲田大学 |
| 発明の名称 | アプタマー固定化半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法 |
| 技術分野 | 情報・通信 |
| 機能 | 検査・検出、機械・部品の製造 |
| 適用製品 | アプタマー固定化半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法 |
| 目的 | FETを用いて簡便かつ高感度に非荷電分子を検出することを可能にする半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法を提供する。 |
| 効果 | より高感度に非荷電分子を検出することが可能となる。 |
技術概要![]() |
プローブ分子としてアプタマーが固定化された検出部を有する電界効果トランジスタを備えるアプタマー固定化半導体センシングデバイスであって、
前記アプタマーが、高次構造を形成した状態で検出部に固定化され、その後、前記高次構造を解消したものであるアプタマー固定化半導体センシングデバイス。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
| アピール内容 | 本件は、『早稲田大学技術シーズ集(問合NO.2243)』に掲載されている案件です。 |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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