ベンゾビスチアジアゾール化合物

開放特許情報番号
L2021000742
開放特許情報登録日
2021/5/26
最新更新日
2021/5/26

基本情報

出願番号 特願2011-273878
出願日 2011/12/14
出願人 株式会社日本触媒
公開番号 特開2013-124231
公開日 2013/6/24
登録番号 特許第5881402号
特許権者 株式会社日本触媒
発明の名称 ベンゾビスチアジアゾール化合物
技術分野 有機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ベンゾビスチアジアゾール化合物
目的 優れた電気特性を発揮し、有機半導体の材料として好適に用いることができるベンゾビスチアジアゾール骨格を有する化合物を提供する。
効果 電気特性等が検討されてきたベンゾビスチアジアゾール骨格を有する化合物の中で、従来知られていたベンゾビスチアジアゾール化合物よりもLUMOのエネルギー準位が低く、n型有機半導体等の機能性電子素子素材等に好適に用いることができる。
技術概要
ベンゾビスチアジアゾール由来の骨格を有する化合物であって、該化合物は、下記式(1);
【化1】

(式中、R↑1、R↑2は、同一又は異なって、置換基を表し、R↑1、R↑2は、それぞれ少なくとも1つがハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、シアノ基、ニトロ基、及び、−CORで表される基、−COORで表される基、2つの−COOHから形成される下記(3−1)の基、窒素原子を含む下記(3−2)の基、下記(3−3)の基のいずれかの電子求引性基であり、電子求引性基以外のR↑1、R↑2は、炭素数1〜6のアルキル基である。m、nは、同一又は異なって、置換基の数を表し、それぞれ1〜10の整数である。Ar↑1は、下記式(2−1)〜(2−9)で表される化合物のいずれかに由来する2価の基であるアリール基及び/又はピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジンのいずれかのπ不足系ヘテロ芳香環化合物由来の基であるπ不足系ヘテロ芳香環基を表す。Ar↑2は、下記式(2−1)〜(2−9)で表されることを特徴とするベンゾビスチアジアゾール化合物。
【化2】

【化3】
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社日本触媒

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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