フレキシブル基板の製造方法

開放特許情報番号

L2021000677

開放特許情報登録日

2021/5/19

最新更新日

2021/5/19

基本情報

出願番号	特願2019-508140
出願日	2017/3/31
出願人	国立大学法人　琉球大学
公開番号	WO2018/179377
公開日	2018/10/4
登録番号	特許第6718638号
特許権者	国立大学法人　琉球大学
発明の名称	フレキシブル基板の製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	フレキシブル基板の製造方法
目的	トランジスタ形成に利用しやすい耐熱性のフレキシブル基板の製造方法を提供する。
効果	フレキシブル基板に金属層および耐熱性のバッファ層が含まれる。これにより、シリコン層の結晶化の際にエキシマレーザーを照射しても、その熱が金属層およびバッファ層により拡散され、樹脂基材が耐熱温度以上に加熱されない。その結果、樹脂基材の炭化等の破損を防止できる。
技術概要	樹脂基材上に、スパッタリング法により、チタン層を形成するステップと、 チタン層上に、スパッタリング法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ↓2膜、ＳｉＯ↓X膜またはＳｉＮ↓X膜を含んで構成されるバッファ層を形成するステップと、 バッファ層上に、絶縁層としてシリコン酸化膜（ＳｉＯ↓X）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮ↓X）の層を形成するステップと、 シリコン酸化膜（ＳｉＯ↓X）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮ↓X）の層上に、スパッタリング法により、アモルファスシリコン層を形成するステップと、 アモルファスシリコン層の表面温度が１６００Ｋ以上であって２０００Ｋを超えない範囲でアモルファスシリコン層にレーザーアニール処理を施すステップと、 を有し、 レーザーアニール処理は、エキシマレーザーを、波長１９０〜４００ｎｍ、パルス幅１５〜５０ｎｓ、周波数５００〜６ｋＨｚ、１０〜２００パルス、単位面積当たりのエネルギー量５０〜２００ｍＪ／ｃｍ↑2にて、フレキシブル基板上に製膜させたアモルファスシリコン層上に照射する、 ことで、この過程で樹脂基材の表面温度が一度も５００Ｋ（約２２７℃）を超えないことを特徴とする フレキシブル基板の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人琉球大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】