アモルファス酸化物薄膜

開放特許情報番号

L2021000666

開放特許情報登録日

2021/5/14

最新更新日

2022/8/25

基本情報

出願番号	特願2010-068708
出願日	2005/2/28
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	特開2010-219538
公開日	2010/9/30
登録番号	特許第4568828号
特許権者	国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称	アモルファス酸化物薄膜
技術分野	電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	アモルファス酸化物薄膜及び薄膜トランジスタ
目的	電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜を提供すること、更には当該アモルファス酸化物薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタを提供すること。
効果	薄膜トランジスタなどの半導体デバイスに利用できる。そして、この薄膜トランジスタは、例えば、ＬＣＤや有機ＥＬディスプレイのスイッチング素子として応用することができ、フレキシブル・ディスプレイをはじめ、シースルー型のディスプレイ、ＩＣカードやＩＤタグなどに幅広く応用できる。
技術概要	スパッタ法、パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚ ｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって、該酸化物の組成は 、結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ↓3（ＺｎＯ）↓m（ｍは６未満の自然数）であり、不純 物イオンを添加することなしに、電子移動度が１ｃｍ↑2／（Ｖ・秒）超、かつ電子キャリ ヤ濃度が１０↑16／ｃｍ↑3以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモル ファス酸化物薄膜。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】