アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法

開放特許情報番号

L2021000665

開放特許情報登録日

2021/5/14

最新更新日

2022/8/25

基本情報

出願番号	特願2010-068707
出願日	2005/2/28
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	特開2010-212696
公開日	2010/9/24
登録番号	特許第4568827号
特許権者	国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称	アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法
技術分野	電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法
目的	電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法を提供すること、更には当該アモルファス酸化物薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタを提供すること。
効果	薄膜トランジスタなどの半導体デバイスに利用できる。そして、この薄膜トランジスタは、例えば、ＬＣＤや有機ＥＬディスプレイのスイッチング素子として応用することができ、フレキシブル・ディスプレイをはじめ、シースルー型のディスプレイ、ＩＣカードやＩＤタグなどに幅広く応用できる。
技術概要	結晶化したときの組成が、式ＩｎＧａＯ↓3（ＺｎＯ）↓m（ｍは６未満の自然数）で示される 酸化物薄膜のパルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法を用いる気相成膜方法において、 該酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、電気抵 抗を高めるための不純物イオンを意図的に薄膜に添加せずに、酸素ガスを含む雰囲気中で 基板上に薄膜を堆積させる際に、 成膜した薄膜の室温での電子キャリヤ濃度が１０↑16／ｃｍ↑3以下となる大きさに酸素分圧 の大きさを制御することによって、室温での電子移動度が０．１ｃｍ↑2／（Ｖ・秒）以上 、かつ電子キャリヤ濃度が１０↑16／ｃｍ↑3以下である半絶縁性である透明Ｉｎ−Ｇａ−Ｚ ｎ−Ｏ薄膜を成膜することを特徴とするアモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】