アプタマー固定化半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法

開放特許情報番号
L2021000641
開放特許情報登録日
2021/5/7
最新更新日
2021/5/7

基本情報

出願番号 特願2019-150267
出願日 2019/8/20
出願人 学校法人早稲田大学
公開番号 特開2021-032607
公開日 2021/3/1
発明の名称 アプタマー固定化半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法
技術分野 情報・通信
機能 検査・検出
適用製品 アプタマー固定化半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法
目的 FETを用いて簡便かつ高感度に非荷電分子を検出することを可能にする半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法を提供する。
効果 より高感度に非荷電分子を検出することが可能となる。
技術概要
半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層が形成された電界効果トランジスタの前記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機単分子膜からなる第1の有機単分子膜を形成し、該第1の有機単分子膜に、あらかじめターゲット分子を結合させたプローブ分子であるアプタマーを、前記反応性官能基を介して直接又は架橋分子を用いて結合させ、その後、該ターゲット分子を該アプタマーから脱離させてなる、アプタマー/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備えるアプタマー固定化半導体センシングデバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 本件は、『早稲田大学技術シーズ集(問合NO.2244)』に掲載されている案件です。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2021 INPIT