不揮発性メモリおよびその駆動方法、ならびに記憶装置

開放特許情報番号

L2021000571

開放特許情報登録日

2021/4/28

最新更新日

2021/4/28

基本情報

出願番号	特願2016-099160
出願日	2016/5/17
出願人	日本放送協会
公開番号	特開2017-208151
公開日	2017/11/24
登録番号	特許第6854091号
特許権者	日本放送協会
発明の名称	不揮発性メモリおよびその駆動方法、ならびに記憶装置
技術分野	情報・通信、電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	不揮発性メモリおよびその駆動方法、ならびに前記不揮発性メモリを備える記憶装置
目的	電流を大きくすることなく、複数のメモリセルに同時に書込みをすることのできる不揮発性メモリ、およびその駆動方法、ならびに前記不揮発性メモリを備える記憶装置を提供する。
効果	不揮発性メモリの所定の数のメモリセルに、高速かつ少ない電流で、メモリセル毎に所望のデータの書込みをすることができる。 また、不揮発性メモリを同じ構造のメモリセルで構成することができる。
技術概要	第１の端子と第２の端子を介して所定の大きさの電流を供給されることにより抵抗値または磁化方向が前記電流の向きに応じて変化する不揮発性記憶素子を備えたメモリセルを、行と列との２次元配列してなる不揮発性メモリであって、 前記メモリセルは、第１の入力選択トランジスタと第１の出力選択トランジスタを直列に接続した第１回路と、第２の入力選択トランジスタと第２の出力選択トランジスタを直列に接続した第２回路と、を並列に接続して備えると共に、前記第１回路における前記第１の入力選択トランジスタと前記第１の出力選択トランジスタの間に前記不揮発性記憶素子の前記第１の端子が接続し、前記第２回路における前記第２の入力選択トランジスタと前記第２の出力選択トランジスタの間に前記第２の端子が接続し、 前記列方向に配列された前記メモリセルが、それぞれの前記第１回路と前記第２回路との接続部で直列に接続され、 前記第１の入力選択トランジスタ、前記第２の入力選択トランジスタ、前記第１の出力選択トランジスタ、および前記第２の出力選択トランジスタのそれぞれについて、ゲートに入力する行方向に延設したワード線を備えることを特徴とする不揮発性メモリ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	一般財団法人　ＮＨＫ財団

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】