SICM用プローブの製造方法及びSICM用プローブ

開放特許情報番号
L2021000408
開放特許情報登録日
2021/4/5
最新更新日
2021/4/5

基本情報

出願番号 特願2018-033897
出願日 2018/2/27
出願人 国立大学法人金沢大学
公開番号 特開2019-148516
公開日 2019/9/5
発明の名称 SICM用プローブの製造方法及びSICM用プローブ
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 SICM用プローブの製造方法及びSICM用プローブ
目的 高解像度のSICMイメージを得ることができ、また、短時間で簡便且つ大量に生産できるSICM用プローブの製造方法及びSICM用プローブを提供する。
効果 高解像度のSICMイメージを得ることができる。
また、所望の先端開口部の内径を有するピペットを短時間で簡便且つ大量に生産することができる。
技術概要
コニカル型のピペットを作製する工程と、
前記コニカル型のピペットの先端開口部の内壁及び外壁に対して、原子層堆積法(Atomic Layer Deposition:ALD法)により成膜構造体を形成する工程を備えることを特徴とするSICM用プローブの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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