| 出願番号 |
特願2011-042049 |
| 出願日 |
2011/2/28 |
| 出願人 |
国立大学法人山梨大学 |
| 公開番号 |
特開2012-179503 |
| 公開日 |
2012/9/20 |
| 登録番号 |
特許第5703516号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山梨大学 |
| 発明の名称 |
排気ガスの固定化処理法、及びその処理装置 |
| 技術分野 |
機械・加工 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体プロセス排気ガスの分解・処理方法、工場等排気ガスの分解・処理方法、難分解性ガスの分解・固定化除去方法、低誘電率薄膜の低温合成 |
| 目的 |
低温反応を利用した薄膜堆積法は、付加価値の高いフルオロカーボン薄膜や炭素膜に変換し、リサイクルすることを可能にすることに加え、排ガスのリユースするための有効利用方法及び装置を提供する。 |
| 効果 |
ＣＦ４凝縮層への低速電子線照射によるフッ素化アモルファスカーボン膜（ａ−Ｃ：Ｆ膜）を合成、固定化することができる。Ｈ２−ＤＣ放電において、ＣＦ４ガスの流量と基板温度を変化させることで、電子による原料モノマーの分解や、化学的アニーリングが抑制させることができる。また、基板温度を高くすることは表面に結合したＦの引き抜き反応を抑制することができる。原料ガスと基板温度二つのパラメーターを変化させることにより薄膜の膜質をＤＬＣ、あるいはａ−Ｃ：Ｆとするかを決定することが可能である。 |
技術概要
 |
１１Ｋから４０Ｋの極低温に冷却された基材上に、パーフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンを含む排ガスを噴霧し、パーフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンを凝縮薄膜として堆積させる工程と、
該凝縮薄膜に雰囲気ガスとともに電子またはイオンまたは準安定励起種またはラジカルを照射することにより該パーフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンを分解するとともに重合膜として固定化する工程と、
固定化したフッ素含有重合膜を回収する工程を、
含むことを特徴とするフッ素含有排ガスの固定化方法 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)