基板粒子または集積体、並びにこれらの製造方法

開放特許情報番号
L2021000367
開放特許情報登録日
2021/3/24
最新更新日
2021/3/24

基本情報

出願番号 特願2011-109811
出願日 2011/5/16
出願人 国立大学法人山梨大学
公開番号 特開2012-240860
公開日 2012/12/10
登録番号 特許第5779803号
特許権者 国立大学法人山梨大学
発明の名称 基板粒子または集積体、並びにこれらの製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 新規な基板粒子
目的 新規な基板粒子を提供する。
新規な基板粒子の製造方法を提供する。
新規な集積体を提供する。
また、新規な集積体の製造方法を提供する。
効果 基板粒子がヘテロエピタキシャル層を有するので、新規な基板粒子を提供することができる。
基板粒子が単結晶からなるので、新規な基板粒子の製造方法を提供することができる。
集積体がヘテロエピタキシャル層を有するので、新規な集積体を提供することができる。
基板粒子が単結晶からなるので、新規な集積体の製造方法を提供することができる。
技術概要
単結晶を作製する単結晶作製工程と、
前記単結晶にヘテロエピタキシャル層を形成するヘテロエピタキシャル層形成工程を備え、
前記単結晶作製工程は、第1の元素の水酸化物と第2の元素の酸化物を原料とし、有機溶媒を使用するソルボサーマル法を用い、
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程は、第3の元素の水酸化物と第4の元素の錯体を原料とし、溶媒を使用するソルボサーマル法を用い、
前記単結晶作製工程において、チタン酸ストロンチウムの単結晶を作製し、
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程において、チタン酸バリウムのヘテロエピタキシャル層を形成することを特徴とする
基板粒子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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