| 出願番号 |
特願2013-175436 |
| 出願日 |
2009/3/12 |
| 出願人 |
国立大学法人山梨大学 |
| 公開番号 |
特開2014-005200 |
| 公開日 |
2014/1/16 |
| 登録番号 |
特許第5810424号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山梨大学 |
| 発明の名称 |
人工超格子粒子、およびその製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
人工超格子誘電体ナノ粒子の作製方法 |
| 目的 |
３次元の変調構造を持つ新規な構造の人工超格子ナノ粒子を用いることができれば、上記容量密度を超えるフィルムキャパシタの提供が可能となる。 |
| 効果 |
3次元の人工超格子ナノ粒子ができれば、これまでにない巨大な物性や多機能を併せ持った夢の新材料を創生することができる。 |
技術概要
 |
核となる粒子と、前記核となる粒子とは化学組成の異なる化合物の材料を密閉容器に入れる工程と、
加熱保持により、前記核となる粒子の表面に前記化合物をヘテロエピタキシャル成長により積層する工程と、
を備え、
前記化合物が、チタンを含んだ金属酸化物を含み、チタン源としてジイソプロポキシドジアセチルアセトナートを用いることを特徴とする人工超格子粒子の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)