n型SnS半導体およびそれを用いた太陽電池
- 開放特許情報番号
- L2021000274
- 開放特許情報登録日
- 2021/3/12
- 最新更新日
- 2022/12/13
基本情報
出願番号 | 特願2018-066373 |
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出願日 | 2018/3/30 |
出願人 | 国立大学法人山梨大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2019/10/17 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人山梨大学 |
発明の名称 | n型BrドープSnS半導体の製造方法 |
技術分野 | 化学・薬品、無機材料、電気・電子 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | n型の電気特性を示す半導体およびそれを用いた太陽電池 |
目的 | 毒性元素/希少元素を用いない、ハロゲン元素をドープして作成された新たなn型SnS半導体材料を提供する。 |
効果 | Br(臭素)をドープ(添加)することにより、毒性元素/希少元素を用いないn型SnS半導体材料を提供することが可能となる。 |
技術概要![]() |
SnS(硫化スズ)にBr添加が添加されたことを特徴とするn型SnS半導体。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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