n型SnS半導体およびそれを用いた太陽電池

開放特許情報番号
L2021000274
開放特許情報登録日
2021/3/12
最新更新日
2021/3/12

基本情報

出願番号 特願2018-066373
出願日 2018/3/30
出願人 国立大学法人山梨大学
公開番号 特開2019-178012
公開日 2019/10/17
発明の名称 n型SnS半導体およびそれを用いた太陽電池
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 n型の電気特性を示す半導体およびそれを用いた太陽電池
目的 毒性元素/希少元素を用いない、ハロゲン元素をドープして作成された新たなn型SnS半導体材料を提供する。
効果 Br(臭素)をドープ(添加)することにより、毒性元素/希少元素を用いないn型SnS半導体材料を提供することが可能となる。
技術概要
SnS(硫化スズ)にBr添加が添加されたことを特徴とするn型SnS半導体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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