ｎ型ＳｎＳ半導体およびそれを用いた太陽電池

基本情報

出願番号	特願2018-066373
出願日	2018/3/30
出願人	国立大学法人山梨大学
公開番号	特開2019-178012
公開日	2019/10/17
登録番号	特許第7169508号
特許権者	国立大学法人山梨大学
発明の名称	ｎ型ＢｒドープＳｎＳ半導体の製造方法
技術分野	化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	ｎ型の電気特性を示す半導体およびそれを用いた太陽電池
目的	毒性元素／希少元素を用いない、ハロゲン元素をドープして作成された新たなｎ型ＳｎＳ半導体材料を提供する。
効果	Ｂｒ（臭素）をドープ（添加）することにより、毒性元素／希少元素を用いないｎ型ＳｎＳ半導体材料を提供することが可能となる。
技術概要	ＳｎＳ（硫化スズ）にＢｒ添加が添加されたことを特徴とするｎ型ＳｎＳ半導体。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【可】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人山梨大学