窒化物半導体及びその製造方法

開放特許情報番号
L2021000175
開放特許情報登録日
2021/2/11
最新更新日
2021/2/11

基本情報

出願番号 特願2018-530815
出願日 2017/6/1
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2018/042792
公開日 2018/3/8
登録番号 特許第6432004号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 窒化物半導体及びその製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化物半導体とその製造方法
目的 高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すn型導電型を示す2元系、3元系または4元系の窒化物半導体、より具体的には、13族窒化物半導体膜を容易に製造し、提供する。
効果 バッファ層を必須とせずに良質の窒化物半導体を容易に成膜することができる。
技術概要
窒素と13族元素であるB、Al、GaまたはInからなる群より選ばれる一つの元素を含有する2元系、3元系または4元系の窒化物半導体であって、
1×10↑17cm↑(-3)以上の酸素を不純物として含有し、SiまたはGeをドナーとして含有し、5×10↑19cm↑(-3)以上の電子濃度を有し、前記電子濃度は実質的にSiドナー濃度またはGeドナー濃度に等しく、n型導電性であり、
電子移動度が46cm2/(V・s)以上である薄膜の窒化物半導体(但し、2元系の窒化物半導体がAlNである場合、3元系の窒化物半導体がAlGaNである場合を除く)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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