| 出願番号 |
特願2018-530815 |
| 出願日 |
2017/6/1 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
WO2018/042792 |
| 公開日 |
2018/3/8 |
| 登録番号 |
特許第6432004号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
窒化物半導体及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
窒化物半導体とその製造方法 |
| 目的 |
高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すｎ型導電型を示す２元系、３元系または４元系の窒化物半導体、より具体的には、１３族窒化物半導体膜を容易に製造し、提供する。 |
| 効果 |
バッファ層を必須とせずに良質の窒化物半導体を容易に成膜することができる。 |
技術概要
 |
窒素と１３族元素であるＢ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎからなる群より選ばれる一つの元素を含有する２元系、３元系または４元系の窒化物半導体であって、
１×１０↑17ｃｍ↑（-3）以上の酸素を不純物として含有し、ＳｉまたはＧｅをドナーとして含有し、５×１０↑19ｃｍ↑（-3）以上の電子濃度を有し、前記電子濃度は実質的にＳｉドナー濃度またはＧｅドナー濃度に等しく、ｎ型導電性であり、
電子移動度が４６ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）以上である薄膜の窒化物半導体（但し、２元系の窒化物半導体がＡｌＮである場合、３元系の窒化物半導体がＡｌＧａＮである場合を除く）。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)