トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス

開放特許情報番号

L2021000174

開放特許情報登録日

2021/2/11

最新更新日

2024/3/26

基本情報

出願番号	特願2019-557267
出願日	2018/11/28
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	WO2019/107411
公開日	2019/6/6
登録番号	特許第7164204号
特許権者	国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称	トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	トンネル電界効果トランジスタ
目的	高いＯＮ電流および急峻なＯＮ／ＯＦＦ動作を両立させたＴＦＥＴを実現する。
効果	高いＯＮ電流および急峻なＯＮ／ＯＦＦ動作を両立させたＴＦＥＴを実現することができる。
技術概要	第１導電型の第１半導体層と、 第１領域において前記第１半導体層に対してヘテロ接合を実現する第２導電型の第２半導体層と、 前記第１領域において前記第２半導体層を覆うゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を覆うゲート電極層と、 前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極層と、 前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極層と、 前記第１領域に対して前記第２電極層側に隣接した第２領域において前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に挟まれた第１絶縁層と、 を含む、トンネル電界効果トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール情報

アピール内容	関連する技術資料は以下のURLにおいて掲載しています。 https://www.jst.go.jp/chizai/news/oshigijutsu59.html

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】