トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス

開放特許情報番号
L2021000174
開放特許情報登録日
2021/2/11
最新更新日
2021/2/11

基本情報

出願番号 特願2019-557267
出願日 2018/11/28
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2019/107411
公開日 2019/6/6
発明の名称 トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 トンネル電界効果トランジスタ
目的 高いON電流および急峻なON/OFF動作を両立させたTFETを実現する。
効果 高いON電流および急峻なON/OFF動作を両立させたTFETを実現することができる。
技術概要
第1導電型の第1半導体層と、
第1領域において前記第1半導体層に対してヘテロ接合を実現する第2導電型の第2半導体層と、
前記第1領域において前記第2半導体層を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を覆うゲート電極層と、
前記第1半導体層に電気的に接続された第1電極層と、
前記第2半導体層に電気的に接続された第2電極層と、
前記第1領域に対して前記第2電極層側に隣接した第2領域において前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に挟まれた第1絶縁層と、
を含む、トンネル電界効果トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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