トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス
- 開放特許情報番号
- L2021000174
- 開放特許情報登録日
- 2021/2/11
- 最新更新日
- 2022/11/17
基本情報
出願番号 | 特願2019-557267 |
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出願日 | 2018/11/28 |
出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
公開番号 | |
公開日 | 2019/6/6 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
発明の名称 | トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | トンネル電界効果トランジスタ |
目的 | 高いON電流および急峻なON/OFF動作を両立させたTFETを実現する。 |
効果 | 高いON電流および急峻なON/OFF動作を両立させたTFETを実現することができる。 |
技術概要![]() |
第1導電型の第1半導体層と、
第1領域において前記第1半導体層に対してヘテロ接合を実現する第2導電型の第2半導体層と、 前記第1領域において前記第2半導体層を覆うゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を覆うゲート電極層と、 前記第1半導体層に電気的に接続された第1電極層と、 前記第2半導体層に電気的に接続された第2電極層と、 前記第1領域に対して前記第2電極層側に隣接した第2領域において前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に挟まれた第1絶縁層と、 を含む、トンネル電界効果トランジスタ。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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