トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス
- 開放特許情報番号
- L2021000174
- 開放特許情報登録日
- 2021/2/11
- 最新更新日
- 2022/11/17
基本情報
| 出願番号 | 特願2019-557267 |
|---|---|
| 出願日 | 2018/11/28 |
| 出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2019/6/6 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 | トンネル電界効果トランジスタおよび電子デバイス |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | トンネル電界効果トランジスタ |
| 目的 | 高いＯＮ電流および急峻なＯＮ／ＯＦＦ動作を両立させたＴＦＥＴを実現する。 |
| 効果 | 高いＯＮ電流および急峻なＯＮ／ＯＦＦ動作を両立させたＴＦＥＴを実現することができる。 |
技術概要) |
第１導電型の第１半導体層と、
第１領域において前記第１半導体層に対してヘテロ接合を実現する第２導電型の第２半導体層と、 前記第１領域において前記第２半導体層を覆うゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を覆うゲート電極層と、 前記第１半導体層に電気的に接続された第１電極層と、 前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極層と、 前記第１領域に対して前記第２電極層側に隣接した第２領域において前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に挟まれた第１絶縁層と、 を含む、トンネル電界効果トランジスタ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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