単分子トランジスタ

開放特許情報番号

L2021000089

開放特許情報登録日

2021/1/20

最新更新日

2022/8/25

基本情報

出願番号	特願2020-503630
出願日	2019/2/28
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	WO2019/168124
公開日	2019/9/6
登録番号	特許第6799880号
特許権者	国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称	単分子トランジスタ
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	分子デバイス、チャネルに相当する領域が分子で構成され、量子効果により電子又は正孔が流れるトランジスタ
目的	共鳴トンネル効果を発現する単分子トランジスタを提供する。
効果	一対の金属粒子が相対するナノギャップ電極の間隙にπ共役分子を配置することで、共鳴トンネル電流が流れるトランジスタを実現することができる。
技術概要	第１電極層と、第１電極と、 第２電極層と、第２電極と、 第１電極及び第２電極から絶縁された第３電極と、 π共役骨格を有するπ共役分子と、を含み、 第１電極と第２電極とは、第１金属粒子と第２金属粒子とが対向し、間隙をもって配置され、 第１電極層及び第２電極層は先端部まで２０ｎｍ以下の均一の幅を有し、膜厚が２０ｎｍ以下であり、 第１金属粒子及び第２金属粒子の一端から他端までの幅が２０ｎｍ以下であり、 第３電極は第１金属粒子と第２金属粒子とが対向する間隙に隣接し、第１金属粒子及び第２金属粒子と離隔して配置され、 第１電極層及び第２電極層の表面に、第１金属粒子及び第２金属粒子に加え、複数の他の金属粒子を含み、 第１金属粒子及び第２金属粒子、並びに複数の他の金属粒子は、それぞれが第１電極層及び第２電極層の表面において相互に接触せず、離間して配置され、 π共役分子は第１金属粒子と第２金属粒子との間隙に配置され、 第１電極層及び第２電極層が白金で形成され、第１金属粒子及び第２金属粒子並びに他の金属粒子が金であることを特徴とする単分子トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】