| 出願番号 |
特願2019-545161 |
| 出願日 |
2018/9/28 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
WO2019/066013 |
| 公開日 |
2019/4/4 |
| 登録番号 |
特許第7036448号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
ヘテロ元素含有グラフェン |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
扁平な形状を示し、透明なＰ型半導体としての性質を示すヘテロ元素含有グラフェン |
| 目的 |
ドープする窒素の量が増えてもグラフェンシートの平坦性を維持でき、透明で、結晶性の高いヘテロ元素含有グラフェンを提供する。 |
| 効果 |
ドープする窒素の量が多くても、グラフェンシートの平坦性を維持でき、結晶性が高い。このため、良好な半導体特性や触媒特性を示すことが期待され、効率的に製造することができる。 |
技術概要
 |
制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測され、
炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素（Ｘ）として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含むヘテロ元素含有グラフェン。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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