ヘテロ元素含有グラフェン

開放特許情報番号
L2021000088
開放特許情報登録日
2021/1/20
最新更新日
2021/1/20

基本情報

出願番号 特願2019-545161
出願日 2018/9/28
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2019/066013
公開日 2019/4/4
発明の名称 ヘテロ元素含有グラフェン
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 扁平な形状を示し、透明なP型半導体としての性質を示すヘテロ元素含有グラフェン
目的 ドープする窒素の量が増えてもグラフェンシートの平坦性を維持でき、透明で、結晶性の高いヘテロ元素含有グラフェンを提供する。
効果 ドープする窒素の量が多くても、グラフェンシートの平坦性を維持でき、結晶性が高い。このため、良好な半導体特性や触媒特性を示すことが期待され、効率的に製造することができる。
技術概要
制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測され、
炭素(C)と、ヘテロ元素(X)として窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、イオウ(S)、ホウ素(B)、およびケイ素(Si)からなる群から選択される少なくとも1種の元素と、を含むヘテロ元素含有グラフェン。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2021 INPIT