炭化ケイ素構造を備えたポリジメチルシロキサン基板およびその製造方法

開放特許情報番号
L2021000071
開放特許情報登録日
2021/1/18
最新更新日
2021/1/18

基本情報

出願番号 特願2018-092489
出願日 2018/5/11
出願人 学校法人慶應義塾
公開番号 特開2019-196295
公開日 2019/11/14
発明の名称 炭化ケイ素構造を備えたポリジメチルシロキサン基板およびその製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 炭化ケイ素構造を備えたポリジメチルシロキサン基板およびその製造方法
目的 レーザパルス照射のみによる簡易な単一工程により、場所選択的にPDMS基板中にSiC構造を生成する方法およびSiC構造を備えたPDMS基板を提供する。
効果 レーザ照射した場所選択的に、PDMS表面または内部にSiC構造を生成することができ、選択的領域に炭化ケイ素構造を備えたポリジメチルシロキサンを得ることができる。
技術概要
ポリジメチルシロキサン基板にレーザ光を照射することにより、前記ポリジメチルシロキサン基板に炭化ケイ素からなる改質部を形成する工程を含む、炭化ケイ素構造を備えたポリジメチルシロキサン基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人慶應義塾

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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