微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2021000067
開放特許情報登録日
2021/2/5
最新更新日
2021/2/5

基本情報

出願番号 特願2002-239427
出願日 2002/8/20
出願人 学校法人高知工科大学
公開番号 特開2004-079847
公開日 2004/3/11
登録番号 特許第4037213号
特許権者 高知県公立大学法人
発明の名称 微細パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 単結晶基板の表面に微細パターンを形成する方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
目的 フォトリソグラフィ工程を可能な限り削減し、極めて簡単な方法で、且つ安価に単結晶基板表面に規則的なナノメータレベルの微細パターンを形成する方法を提供する。
安価に、規則的なナノメータレベルの微細パターンを有する半導体装置の製造方法を提供する
効果 露光マスクを使用する工程を可能な限り削減し、極めて簡単な方法で、且つ安価に単結晶基板の表面に規則的なナノメータレベルの微細パターンを形成出来る。
安価に、簡単に規則的なナノメータレベルの微細パターンを有する半導体装置の製造方法を提供することが出来る。
技術概要
第1の荷電粒子を単結晶基板の表面に選択的に照射して欠陥を形成する工程と、
前記単結晶基板に第2の荷電粒子を注入して点欠陥を生成し、前記欠陥と前記点欠陥を一体化させ、選択的に凹部を成長させる工程
とを含む微細パターンの形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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