酸化亜鉛（ＺｎＯ）系単結晶、ＺｎＯ系薄膜及びＺｎＯ系単結晶性薄膜の製造方法、並びにＺｎＯ系単結晶性薄膜及び該ＺｎＯ系単結晶性薄膜からなるＺｎＯ系材料
- 開放特許情報番号
- L2021000040
- 開放特許情報登録日
- 2021/1/27
- 最新更新日
- 2021/1/27
基本情報
| 出願番号 | 特願2012-125420 |
|---|---|
| 出願日 | 2012/5/31 |
| 出願人 | 高知県公立大学法人 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2013/12/12 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 高知県公立大学法人 |
| 発明の名称 | 酸化亜鉛（ＺｎＯ）系単結晶、ＺｎＯ系薄膜及びＺｎＯ系単結晶性薄膜の製造方法、並びにＺｎＯ系単結晶性薄膜及び該ＺｎＯ系単結晶性薄膜からなるＺｎＯ系材料 |
| 技術分野 | 電気・電子、無機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 酸化亜鉛（ＺｎＯ）系微小構造体、ＺｎＯ系薄膜及びＺｎＯ系単結晶性薄膜の製造方法、並びにＺｎＯ系単結晶性薄膜及び該ＺｎＯ系単結晶性薄膜からなるＺｎＯ系材料 |
| 目的 | 酸化亜鉛系単結晶の形状を制御する方法、高配向ＺｎＯ系単結晶の作製方法、更にこれら技術を用いたＺｎＯ系薄膜及びＺｎＯ系単結晶性薄膜の作製技術を提供する。 |
| 効果 | 高品質なＺｎＯ系単結晶性薄膜及びＺｎＯ系材料を提供することができる。これにより半導体としての利用可能性を高めることができる。また、単結晶薄膜の形成手法として、新たな選択肢となり、既存の各種デバイスへ適用させることで更なる性能向上が期待できる。 |
技術概要) |
基板上に酸化亜鉛（ＺｎＯ）系薄膜を形成する工程と、
前記ＺｎＯ系薄膜を還元雰囲気下で加熱することにより前記ＺｎＯ系薄膜の結晶からＺｎＯ系単結晶を形成させる熱処理工程と、 前記熱処理工程により得られたＺｎＯ系単結晶の形状制御工程と、を備え、 前記形状制御工程が、 前記熱処理工程により得られたＺｎＯ系単結晶を、前記熱処理工程とは異なる雰囲気もしくは温度条件の下でさらに加熱する再熱処理工程を用いることにより、前記熱処理工程により得られたＺｎＯ系単結晶を再成長させる工程からなることを特徴とする酸化亜鉛（ＺｎＯ）系単結晶の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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