| 出願番号 |
特願2011-164748 |
| 出願日 |
2011/7/27 |
| 出願人 |
公立大学法人高知工科大学 |
| 公開番号 |
特開2013-028480 |
| 公開日 |
2013/2/7 |
| 登録番号 |
特許第5793732号 |
| 特許権者 |
高知県公立大学法人 |
| 発明の名称 |
ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法 |
| 技術分野 |
無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法 |
| 目的 |
ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ↓２Ｏ↓３薄膜およびその生成方法を提供する。 |
| 効果 |
ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ↓Ｏ↓３薄膜が表面に成長してなることを特徴とする基板であることにより、結晶性の高い導電性α‐Ｇａ↓２Ｏ↓３薄膜を備える基板を提供することができる。 |
技術概要
 |
錫を含有し、膜厚が２２０〜２４０ｎｍのときのＸ線回折測定での半値全幅（ωＦＷＨＭ）（ｓ↑（−１））が６０〜７０であり、キャリア密度（ｃｍ−３）が８×１０↑１７〜１×１０↑１９であることを特徴とする結晶性の高い導電性α‐Ｇａ↓２Ｏ↓３薄膜。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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