オゾン支援による高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、及び、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタの製造方法
- 開放特許情報番号
- L2021000036
- 開放特許情報登録日
- 2021/1/27
- 最新更新日
- 2021/1/27
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-023862 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/2/8 |
| 出願人 | 高知県公立大学法人 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2014/8/25 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 高知県公立大学法人 |
| 発明の名称 | オゾン支援による高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、及び、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタの製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、且つ、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタの製造方法 |
| 目的 | オゾンを用いることで特性を改善した、薄膜成長法による酸化物薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 |
| 効果 | 金属酸化物絶縁体からなるゲート絶縁膜を形成する工程が、成膜室にオゾンを導入しながら行われることにより、ゲート絶縁膜の誘電率の向上、密度の向上、表面ラフネスの改善という効果を奏することができる。また、高い破壊電界強度を維持したまま低温でゲート絶縁膜を形成することができるので、処理が容易な製造方法とすることができる。 |
技術概要) |
基板上にゲート電極を形成する工程と、
金属酸化物絶縁体を形成するのに必要な金属化合物を溶解した原料溶液を用いて、成膜室にオゾンを導入しながら前記ゲート電極を被覆するように前記基板上に金属酸化物絶縁体からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、 金属酸化物半導体を形成するのに必要な金属化合物を溶解した原料溶液を用いて、成膜室にオゾンを導入しながら前記ゲート絶縁膜上に金属酸化物半導体からなるチャネル層を形成する工程と、を少なくとも備える酸化物薄膜トランジスタの製造方法であって、 前記ゲート絶縁膜を形成する工程が、前記成膜室にオゾンを導入しながら、金属酸化物絶縁体を形成するのに必要な金属化合物を溶解した霧化された原料溶液を前記基板近傍で化学反応させることにより、ゲート絶縁膜を形成する工程であり、 前記チャネル層を形成する工程が、前記成膜室にオゾンを導入しながら、金属酸化物半導体を形成するのに必要な金属化合物を溶解した霧化された原料溶液を前記基板近傍で化学反応させることにより、チャネル層を形成する工程であることを特徴とする、酸化物薄膜トランジスタの製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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