導電性ダイヤモンド電極の製造方法

開放特許情報番号
L2021000022
開放特許情報登録日
2021/1/15
最新更新日
2021/1/15

基本情報

出願番号 特願2018-158247
出願日 2018/8/27
出願人 学校法人慶應義塾
公開番号 特開2020-033199
公開日 2020/3/5
発明の名称 導電性ダイヤモンド電極の製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 導電性ダイヤモンド電極及びその製造方法
目的 導電性ダイヤモンド電極及びその製造方法を提供する。
効果 切断等の加工を必要とすることなく、所望の形状や電極面積を有する導電性ダイヤモンド電極を製造することができる。
技術概要
基材の表面に、ホウ素をドープした導電性ダイヤモンドの多結晶体薄膜を成膜した導電性ダイヤモンド電極の製造方法であって、
(i)ホウ素をドープした導電性ダイヤモンドの多結晶体薄膜が表面に成膜された基材を用意する工程、
(ii)前記導電性ダイヤモンドの多結晶体薄膜の表面上の1又は複数箇所にレジストを施す工程、
(iii)さらに、工程(i)の基材の導電性ダイヤモンドの多結晶体薄膜上に非導電性ダイヤモンドの多結晶体薄膜を成膜する工程、及び
(iv)工程(iii)の後に、前記レジストを剥離して工程(i)の基材の導電性ダイヤモンドの多結晶体薄膜を露出させる工程、を含み、
前記露出した導電性ダイヤモンドの多結晶体薄膜を有する部分が電極として使用可能である、電気化学的測定用の導電性ダイヤモンド電極の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人慶應義塾

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2021 INPIT