| 出願番号 |
特願2018-164916 |
| 出願日 |
2018/9/3 |
| 出願人 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 |
特開2020-038890 |
| 公開日 |
2020/3/12 |
| 登録番号 |
特許第7232499号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 発明の名称 |
半導体装置とその製造方法および光電変換装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体装置とその製造方法および光電変換装置 |
| 目的 |
基材の大きさによらず、低コストで形成することが可能であり、かつ光電変換装置に適用可能な品質を有する半導体膜を備えた、半導体装置とその製造方法および光電変換装置を提供する。 |
| 効果 |
機能層を構成する半導体膜を、基材の大きさによらず、また、単結晶の高価な基材を用いない分、低コストで形成することが可能である。 |
技術概要
 |
非晶質の基材と、
前記基材の一面に形成され、Ｇｅを主成分とする第一結晶粒子を複数含む下地層と、
前記下地層の上に形成され、前記第一結晶粒子の−２％以上２％以下の格子定数を有する第二結晶粒子を複数含む機能層と、を備え、
前記第二結晶粒子の平均粒径が１μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)