半導体装置とその製造方法および光電変換装置

開放特許情報番号
L2020002638
開放特許情報登録日
2020/12/25
最新更新日
2023/4/26

基本情報

出願番号 特願2018-164916
出願日 2018/9/3
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2020-038890
公開日 2020/3/12
登録番号 特許第7232499号
特許権者 国立大学法人 筑波大学
発明の名称 半導体装置とその製造方法および光電変換装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置とその製造方法および光電変換装置
目的 基材の大きさによらず、低コストで形成することが可能であり、かつ光電変換装置に適用可能な品質を有する半導体膜を備えた、半導体装置とその製造方法および光電変換装置を提供する。
効果 機能層を構成する半導体膜を、基材の大きさによらず、また、単結晶の高価な基材を用いない分、低コストで形成することが可能である。
技術概要
非晶質の基材と、
前記基材の一面に形成され、Geを主成分とする第一結晶粒子を複数含む下地層と、
前記下地層の上に形成され、前記第一結晶粒子の−2%以上2%以下の格子定数を有する第二結晶粒子を複数含む機能層と、を備え、
前記第二結晶粒子の平均粒径が1μm以上であることを特徴とする半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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