| 出願番号 |
特願2005-112275 |
| 出願日 |
2005/4/8 |
| 出願人 |
トヨタ自動車株式会社 |
| 公開番号 |
特開2006-294802 |
| 公開日 |
2006/10/26 |
| 登録番号 |
特許第4945916号 |
| 特許権者 |
トヨタ自動車株式会社 |
| 発明の名称 |
光電変換素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
単結晶半導体基板を用いて構成した光電変換素子 |
| 目的 |
半導体基板表裏面の結晶欠陥数を充分に低減して素子の発電効率を向上することが可能な、新規な構造の光電変換素子を提供する。 |
| 効果 |
基板の裏面近傍あるいは、表面と裏面近傍の結晶欠陥数を減少させることができる。その結果、基板で生成されたキャリアの再結合が低減され、素子出力が向上するので、高い発電効率を有する光電変換素子を得ることができる。 |
技術概要
 |
受光層を形成する単結晶半導体基板と、前記半導体基板の受光面と対向する裏面側に形成され、前記半導体基板のキャリア濃度より高いキャリア濃度を有する不純物拡散層と、前記不純物拡散層上から半導体基板の裏面を被覆する表面保護膜と、前記表面保護膜に形成した開口を介して前記不純物拡散層に接続する負および正の電極層とを備える光電変換素子において、
前記不純物拡散層と前記表面保護膜間に、前記単結晶半導体基板と同じ材料の真性半導体結晶層を形成したことを特徴とする、光電変換素子。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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