| 出願番号 |
特願2019-157855 |
| 出願日 |
2019/8/30 |
| 出願人 |
国立大学法人福井大学 |
| 公開番号 |
特開2020-038968 |
| 公開日 |
2020/3/12 |
| 発明の名称 |
半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体 |
| 目的 |
従来に比べて低転位密度の半導体層を形成する半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体を提供する。 |
| 効果 |
従来に比べて低転位密度の半導体層を形成することができる。 |
技術概要
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基板上にシングルドメインのシード層が臨界膜厚以下で積層される工程と、
前記シード層が積層された前記基板が熱処理されて前記シード層との界面に犠牲層が形成され、当該犠牲層によって前記基板と前記シード層との結合が分子間力を主とした結合にされることで前記シード層が犠牲シード層とされる工程と、
前記犠牲シード層上に単元素又は化合物の半導体結晶層が前記犠牲シード層の膜厚以上に成長される工程とを含む半導体積層構造体の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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