導電体の製造方法、導電体、超伝導送電線、超伝導磁石装置及び超伝導磁気シールド装置

開放特許情報番号
L2020002414
開放特許情報登録日
2020/12/2
最新更新日
2020/12/2

基本情報

出願番号 PCT/JP2019/040192
出願日 2019/10/11
出願人 国立大学法人東京工業大学
公開番号 WO2020/080279
公開日 2020/4/23
発明の名称 導電体の製造方法、導電体、超伝導送電線、超伝導磁石装置及び超伝導磁気シールド装置
技術分野 電気・電子、化学・薬品、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 導電体の製造方法、導電体、超伝導送電線、超伝導磁石装置及び超伝導磁気シールド装置
目的 大気圧よりも減圧されていない雰囲気下でも、基材の表面層上に、(AE,A)(Fe,TM)↓2(As,P)↓2を主成分とし、且つ、厚膜形状の導電層を有する導電体を形成することができる導電体の製造方法を提供する。
効果 大気圧よりも減圧されていない雰囲気下でも、基材の表面層上に、(AE,A)(Fe,TM)↓2(As,P)↓2(AEはアルカリ土類金属元素、Aはアルカリ金属元素、TMは遷移金属元素)を主成分とし、且つ、厚膜形状の導電層を有する導電体を形成することができる。
技術概要
鉄を含む出発材料の少なくとも表面に、以下の組成式(化1)で表される第1化合物を含む第1層を形成する導電体の製造方法において、
(AE↓(1−x)A↓x)(Fe↓(1−y)TM↓y)↓2(As↓(1−z)P↓z)↓2・・・(化1)
(a)出発材料を、第1元素及び第2元素を含む第1気体に接触させ、出発材料に含まれる鉄と、第1気体に含まれる第1元素及び第2元素とを反応させることにより、出発材料の少なくとも表面に第1層を形成する工程、
を有し、
xは、0≦x<1を満たし、
yは、0≦y<0.5を満たし、
zは、0≦z<0.8を満たし、
第1元素は、AEを含み、
第2元素は、ヒ素を含み、
xが0<x<1を満たすとき、第1元素は、更にAを含み、
yが0<y<0.5を満たすとき、出発材料は、更にTMを含み、且つ、(a)工程では、出発材料に含まれるTM及び鉄と、第1気体に含まれる第1元素及び第2元素とを反応させることにより、出発材料の少なくとも表面に第1層を形成し、
zが0<z<0.8を満たすとき、第2元素は、更にリンを含む、導電体の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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