導電体の製造方法、導電体、超伝導送電線、超伝導磁石装置及び超伝導磁気シールド装置

開放特許情報番号

L2020002414

開放特許情報登録日

2020/12/2

最新更新日

2020/12/2

基本情報

出願番号	PCT/JP2019/040192
出願日	2019/10/11
出願人	国立大学法人東京工業大学
公開番号	WO2020/080279
公開日	2020/4/23
発明の名称	導電体の製造方法、導電体、超伝導送電線、超伝導磁石装置及び超伝導磁気シールド装置
技術分野	電気・電子、化学・薬品、金属材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	導電体の製造方法、導電体、超伝導送電線、超伝導磁石装置及び超伝導磁気シールド装置
目的	大気圧よりも減圧されていない雰囲気下でも、基材の表面層上に、（ＡＥ，Ａ）（Ｆｅ，ＴＭ）↓２（Ａｓ，Ｐ）↓２を主成分とし、且つ、厚膜形状の導電層を有する導電体を形成することができる導電体の製造方法を提供する。
効果	大気圧よりも減圧されていない雰囲気下でも、基材の表面層上に、（ＡＥ，Ａ）（Ｆｅ，ＴＭ）↓２（Ａｓ，Ｐ）↓２（ＡＥはアルカリ土類金属元素、Ａはアルカリ金属元素、ＴＭは遷移金属元素）を主成分とし、且つ、厚膜形状の導電層を有する導電体を形成することができる。
技術概要	鉄を含む出発材料の少なくとも表面に、以下の組成式（化１）で表される第１化合物を含む第１層を形成する導電体の製造方法において、 （ＡＥ↓（１−ｘ）Ａ↓ｘ）（Ｆｅ↓（１−ｙ）ＴＭ↓ｙ）↓２（Ａｓ↓（１−ｚ）Ｐ↓ｚ）↓２・・・（化１） （ａ）出発材料を、第１元素及び第２元素を含む第１気体に接触させ、出発材料に含まれる鉄と、第１気体に含まれる第１元素及び第２元素とを反応させることにより、出発材料の少なくとも表面に第１層を形成する工程、 を有し、 ｘは、０≦ｘ＜１を満たし、 ｙは、０≦ｙ＜０．５を満たし、 ｚは、０≦ｚ＜０．８を満たし、 第１元素は、ＡＥを含み、 第２元素は、ヒ素を含み、 ｘが０＜ｘ＜１を満たすとき、第１元素は、更にＡを含み、 ｙが０＜ｙ＜０．５を満たすとき、出発材料は、更にＴＭを含み、且つ、（ａ）工程では、出発材料に含まれるＴＭ及び鉄と、第１気体に含まれる第１元素及び第２元素とを反応させることにより、出発材料の少なくとも表面に第１層を形成し、 ｚが０＜ｚ＜０．８を満たすとき、第２元素は、更にリンを含む、導電体の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人東京工業大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】