中性子発生装置

開放特許情報番号
L2020002406
開放特許情報登録日
2020/12/2
最新更新日
2020/12/2

基本情報

出願番号 特願2018-090876
出願日 2018/5/9
出願人 国立大学法人東京工業大学
公開番号 特開2019-197654
公開日 2019/11/14
発明の名称 中性子発生装置
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 中性子発生装置
目的 放電中に発生する熱の影響により、中性子発生率が低下するのを抑えることが可能な、中性子発生装置を提供する。
効果 放電中の陽極表面のスパッタリングや蒸発を抑えることができ、それらに伴って発生する不純物の影響に起因する、中性子の発生率の低下を抑えることができる。
技術概要
筒状の真空容器と、
前記真空容器の軸方向において、2つの端部にそれぞれ取り付けられた陽極と、
前記真空容器の軸方向において、中間部に取り付けられた陰極と、
2つの前記陽極に設けられた冷却部と、を有し、
2つの前記陽極、前記陰極のそれぞれの少なくとも一部が、前記真空容器の外部に露出していることを特徴とする中性子発生装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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